International Rectifier IRFH8330TRPBF
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IRFH8330TRPBF
1240-IRFH8330TRPBF
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.0066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 6 X 5 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, QFN-8
1最小包装量--
IRFH8330TRPBF详情
International Rectifier IRFH8330TRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
质量
0.43
终端数量
5
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Part Package Code
QFN
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
Drain Current-Max (ID)
17 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Transport packaging size/quantity
28.5*21*19/5000
Trip temperature
hold - 58°C
Ambient operating temperature
max - 180 (short-term exposure) °C
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
深度
housing - 8 ± 0.5; with leads - 70 ± 3 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-F5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
Fuse type
thermo fuse in DIP package
极性/通道类型
N-CHANNEL
Rated current
3 A
漏极-源极导通最大电阻
0.0066 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
210 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
雪崩能量等级(Eas)
52 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
35 W
Rated voltage
250 (AC) V
饱和电流
1
高度
2.6 ± 0.5 mm
宽度
6.6 ± 0.5 mm
直径
lead - 0.6 mm
IRFH8330TRPBF拓展信息
International Rectifier
WEITRON INTERNATIONAL CO., LTD.
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