IRFP4868PBF
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International Rectifier IRFP4868PBF

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型号

IRFP4868PBF

utmel 编号

1240-IRFP4868PBF

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 300V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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IRFP4868PBF International Rectifier Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 300V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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IRFP4868PBF详情

International Rectifier IRFP4868PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

  • Package Description

    ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

  • Drain Current-Max (ID)

    70 A

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-247AC

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.032 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    280 A

  • DS 击穿电压-最小值

    300 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    1093 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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技术文档: International Rectifier IRFP4868PBF.

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