International Rectifier IRFP9142

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IRFP9142

Turn-on Time-Max (ton)

45 ns

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

三星半导体

Drain Current-Max (ID)

15 A

Part Package Code

TO-3P

Risk Rank

5.91

Turn-off Time-Max (toff)

32 ns

Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

Part Life Cycle Code

Obsolete

Number of Elements

1

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

其他晶体管

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

2

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

16 A

漏极-源极导通最大电阻

0.2 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

60 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

560 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

150 W

环境耗散-最大值

125 W