International Rectifier IRFR120N
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IRFR120N
1240-IRFR120N
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Power Field-Effect Transistor, 9.1A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3
1最小包装量--
IRFR120N详情
International Rectifier IRFR120N重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Part Package Code
TO-252AA
Package Description
DPAK-3
Drain Current-Max (ID)
9.1 A
Operating Temperature-Max
175 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Gross weight
11.08
Transport packaging size/quantity
38*33*25/2000
Teral type
solderingmin
Permissible error limit
5 %
Terals
wire (d) Ф0.75min
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
类型
High power constant wirewound resistor in ceramic-cement housing of the RX27-1 series
电阻
100 Ohm
端子表面处理
锡铅
附加功能
AVALANCHE RATED, FAST SWITCHING
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
深度
(L) 48 ± 1 mm
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
Insulation resistance
≥1000 MOhm
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
Operating temperature range
-55…+155 (275 max.) °C
JEDEC-95代码
TO-252AA
漏极-源极导通最大电阻
0.21 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
38 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
雪崩能量等级(Eas)
91 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
42 W
电源
10 (SQP10) W
环境耗散-最大值
39 W
饱和电流
1
高度
(H) 9 ± 1 mm
宽度
(W) 10 ± 1 mm
IRFR120N拓展信息
International Rectifier
WEITRON INTERNATIONAL CO., LTD.
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