International Rectifier IRLH5030TRPBF
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IRLH5030TRPBF
1240-IRLH5030TRPBF
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Description: Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.0099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 6 X 5 MM, ROHS COMPLIANT AND HALOGEN FREE, PLASTIC, QFN-8
1最小包装量--
IRLH5030TRPBF详情
International Rectifier IRLH5030TRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
材料
Brush - graphite; conductor - copper; terminal - brass
终端数量
5
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Part Package Code
QFN
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-N5
Drain Current-Max (ID)
13 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Gross weight
2.28
Transport package size/quantity
41*29*36/2000
Wire length
(D) - mm
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
类型
Graphite brush for collector motor with spring
端子表面处理
哑光锡
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
深度
(A) - 14 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-N5
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.0099 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
400 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
雪崩能量等级(Eas)
230 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
250 W
饱和电流
1
高度
(C) - 6 mm
宽度
(B) - 11 mm
IRLH5030TRPBF拓展信息
International Rectifier
WEITRON INTERNATIONAL CO., LTD.
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