International Rectifier IRLML6344TRPBF
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IRLML6344TRPBF
1240-IRLML6344TRPBF
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MICRO-3
1最小包装量--
IRLML6344TRPBF详情
International Rectifier IRLML6344TRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
on connector
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Gross Weight
3.21
Transport Packaging Size/Quantity
45*31.5*22/1000
Maximum Power
50 W
Passband
850-1900/900-1800 MHz
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Part Package Code
SOT-23
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Drain Current-Max (ID)
5 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
连接器类型
SMA-M
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
极化
vertical
阻抗
50 Ohm
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
带宽
70/180 MHz
极性/通道类型
N-CHANNEL
工作温度范围
-30....+75 °C
JEDEC-95代码
TO-236AB
增益
2.15 dBi
漏极-源极导通最大电阻
0.029 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
25 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
天线类型
GSM stubby antenna
最大耗散功率(Abs)
1.3 W
饱和电流
1
高度
27.5 mm
IRLML6344TRPBF拓展信息
International Rectifier
WEITRON INTERNATIONAL CO., LTD.
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