IRLR120NTRPBF
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International Rectifier IRLR120NTRPBF

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型号

IRLR120NTRPBF

utmel 编号

1240-IRLR120NTRPBF

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

103-UFBGA, WLCSP

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.225ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3

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IRLR120NTRPBF International Rectifier Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.225ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3

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IRLR120NTRPBF详情

International Rectifier IRLR120NTRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    103-UFBGA, WLCSP

  • 供应商器件包装

    103-WLCSP (4.64x4.14)

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Gross weight

    3.25

  • Transport packaging size/quantity

    55*25*12/200

  • Package

    DIL8

  • Current consumption

    20 mA

  • Rise/fall time

    5 ns

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

  • Part Package Code

    TO-252AA

  • Package Description

    LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3

  • Drain Current-Max (ID)

    10 A

  • Operating Temperature-Max

    175 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • 包装

    Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®

  • 操作温度

    -40°C ~ 85°C (TA)

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

  • 零件状态

    活跃

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    Quartz generator HCMOC/TTL

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

  • 应用

    Smart Phones, Tablets and Portable Devices

  • 附加功能

    雪崩 额定

  • HTS代码

    8541.29.00.95

  • 电压 - 供电

    1.1V ~ 5V, 2.8V ~ 5V, 3.1V ~ 5V, 3.15V ~ 5V, 4V ~ 14V

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Supply voltage

    3.3 V

  • 深度

    12.7 mm

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 频率

    5000 MHz

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • Frequency stability

    +/- 25 ppm

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 电流源

    4.6mA

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • Operating temperature range

    -40...+85 °C

  • JEDEC-95代码

    TO-252AA

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.225 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    35 A

  • DS 击穿电压-最小值

    100 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    85 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    48 W

  • 饱和电流

    1

  • 高度

    5.4 mm

  • 宽度

    12.7 mm

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IRLR120NTRPBF拓展信息

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