INTERNATIONAL RECTIFIER CORP JANSF2N7550U2

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

附加功能

ULTRA-LOW RESISTANCE

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

参考标准

MIL-19500; RH - 300K Rad(Si)

JESD-30代码

R-CBCC-N3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

47A

漏极-源极导通最大电阻

0.049Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

188A

DS 击穿电压-最小值

100V

雪崩能量等级（Eas）

400 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

250W

RoHS状态

Non-RoHS Compliant