International Resistive RN55C1102F

包装/外壳

64-LQFP

安装类型

表面贴装

引脚数

2

供应商器件包装

64-TQFP (10x10)

Memory Types

Volatile

Voltage, Rating

200 V

Voltage Rating (DC)

200 V

RoHS

Compliant

包装

Tape & Reel (TR)

系列

--

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

容差

1 %

零件状态

Obsolete

温度系数

50 ppm/°C

电阻

11 kΩ

组成

厚膜

额定功率

100 mW

技术

SRAM - Dual Port, Asynchronous

电压 - 供电

3 V ~ 3.6 V

内存大小

8Kb (1K x 8)

访问时间

55ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

写入周期时间 - 字符、页面

55ns

达到SVHC

Unknown