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2N5116

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Intersil 2N5116

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对比

型号

2N5116

品牌

utmel 编号

1244-2N5116

商品类别

晶体管 - JFET

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-18

起订量

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2N5116

2N5116 Intersil Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-18

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2N5116详情

技术参数

Intersil 2N5116重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

3
晶体管元件材料

SILICON
Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Package Style

CYLINDRICAL
Package Body Material

METAL
Operating Temperature-Min

-65 °C
Reflow Temperature-Max (s)

未说明
Operating Temperature-Max

200 °C
Rohs Code

无
Manufacturer Part Number

2N5116
Package Shape

ROUND
Manufacturer

Central Semiconductor Corp
Number of Elements

1
Part Life Cycle Code

活跃
Ihs Manufacturer

CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank

0.86
JESD-609代码

e0
无铅代码

无
端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码

8541.21.00.95
子类别

FET 通用小信号
端子位置

BOTTOM
终端形式

WIRE
峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明
Reach合规守则

not_compliant
JESD-30代码

O-MBCY-W3
资历状况

不合格
配置

SINGLE
操作模式

DEPLETION MODE
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

P-CHANNEL
JEDEC-95代码

TO-18
漏极-源极导通最大电阻

150 Ω
场效应管技术

JUNCTION
最大耗散功率(Abs)

0.5 W
反馈上限-最大值 (Crss)

7 pF
环境耗散-最大值

0.5 W

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