2N6764
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Intersil 2N6764

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型号

2N6764

品牌

Intersil

utmel 编号

1244-2N6764

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Mosfet N-ch 100V TO-204AE TO-3

起订量

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2N6764 Intersil Mosfet N-ch 100V TO-204AE TO-3

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2N6764详情

Intersil 2N6764重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    METAL

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    2N6764

  • Package Shape

    ROUND

  • Manufacturer

    Microsemi Corporation

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    MICROSEMI CORP

  • Risk Rank

    5.09

  • Part Package Code

    BFM

  • Drain Current-Max (ID)

    38 A

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    锡铅过镍

  • 子类别

    FET 通用电源

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    PIN/PEG

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    2

  • JESD-30代码

    O-MBFM-P2

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-204AE

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    38 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.065 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    100 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    150 W

0个相似型号

2N6764拓展信息

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