Intersil 2N6767

表面安装

NO

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Non-Compliant

Package Description

FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2N6767

Turn-on Time-Max (ton)

100 ns

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Harris Semiconductor

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

HARRIS SEMICONDUCTOR

Turn-off Time-Max (toff)

225 ns

Risk Rank

5.2

Drain Current-Max (ID)

12 A

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

FET 通用电源

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-204AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

12 A

漏极-源极导通最大电阻

0.4 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20 A

DS 击穿电压-最小值

350 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

150 W

反馈上限-最大值 (Crss)

200 pF

环境耗散-最大值

150 W