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'2n6767'

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category.单MOSFET晶体管 (3)

所有品牌

对比

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

安装类型

包装/外壳

表面安装

供应商器件包装

终端数量

晶体管元件材料

厂商

操作温度

系列

JESD-609代码

端子表面处理

子类别

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度（摄氏度）

Reach合规守则

JESD-30代码

资历状况

配置

操作模式

箱体转运

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

漏源电压 (Vdss)

Vgs（最大值）

极性/通道类型

JEDEC-95代码

最大漏极电流 (Abs) (ID)

漏极-源极导通最大电阻

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

DS 击穿电压-最小值

场效应管技术

最大耗散功率(Abs)

场效应管特性

反馈上限-最大值 (Crss)

环境耗散-最大值

2N6767

Harris Corporation

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

TO-204AA, TO-3

TO-3

Harris Corporation

Bulk

活跃

12A (Tc)

10V

150W (Tc)

-55°C ~ 150°C (TJ)

-

N-Channel

400mOhm @ 7.75A, 10V

4V @ 1mA

3000 pF @ 25 V

350 V

±20V

-

2N6767

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

NO

2

SILICON

FLANGE MOUNT

METAL

未说明

150 °C

无

2N6767

100 ns

ROUND

Harris Semiconductor

1

Obsolete

HARRIS SEMICONDUCTOR

225 ns

5.2

12 A

Non-Compliant

FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2

e0

Tin/Lead (Sn/Pb)

FET 通用电源

BOTTOM

PIN/PEG

未说明

unknown

O-MBFM-P2

不合格

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

DRAIN

SWITCHING

N-CHANNEL

TO-204AA

12 A

0.4 Ω

20 A

350 V

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

150 W

200 pF

150 W

2N6767

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1