Intersil CDP1824CD3

表面安装

NO

终端数量

18

Access Time-Max

825 ns

Ihs Manufacturer

HARRIS SEMICONDUCTOR

Manufacturer

Harris Semiconductor

Manufacturer Part Number

CDP1824CD3

Number of Words

32 words

Number of Words Code

32

Operating Temperature-Max

125 °C

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Package Code

DIP

Package Description

DIP, DIP18,.3

Package Equivalence Code

DIP18,.3

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

IN-LINE

Part Life Cycle Code

Obsolete

Risk Rank

5.65

Rohs Code

无

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Usage Level

Military grade

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

3A001.A.2.C

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-CDIP-T18

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

6.5 V

电源

5 V

温度等级

MILITARY

电源电压-最小值(Vsup)

4 V

端口的数量

1

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.008 mA

组织结构

32X8

输出特性

3-STATE

内存宽度

8

待机电流-最大值

0.00004 A

记忆密度

256 bit

筛选水平

38535Q/M;38534H;883B

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

2.5 V

输出启用

NO