Intersil HAT2168H-EL-E

表面安装

YES

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

PTZZ0005DA-A5

Reflow Temperature-Max (s)

20

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

HAT2168H-EL-E

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

不推荐

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Risk Rank

7.14

Part Package Code

LFPAK

Drain Current-Max (ID)

30 A

JESD-609代码

e6

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

引脚数量

5

JESD-30代码

R-PSSO-G4

资历状况

不合格

Brand Name

Renesas

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

30 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0135 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

120 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

15 W