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技术文档
型号
HGT1S20N60C3S
品牌
Intersil
utmel 编号
1244-HGT1S20N60C3S
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
IGBT Transistors PTPIGBT TO263 45A 600V
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HGT1S20N60C3S详情
技术参数
Intersil HGT1S20N60C3S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package
零售包装
厂商
Glenair
Product Status
活跃
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Turn-on Time-Nom (ton)
52 ns
Operating Temperature-Min
-55 °C
Turn-off Time-Nom (toff)
388 ns
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Turn-on Time-Max (ton)
60 ns
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
安森美半导体
Number of Elements
Part Life Cycle Code
不推荐
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Turn-off Time-Max (toff)
660 ns
Rise Time-Max (tr)
28 ns
Risk Rank
5.72
系列
*
JESD-609代码
e3
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
MOTOR CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-263AB
最大耗散功率(Abs)
164 W
集电极电流-最大值(IC)
45 A
集电极-发射器电压-最大值
600 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
VCEsat-最大值
1.8 V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6.3 V
最大下降时间 (tf)
210 ns
HGT1S20N60C3S拓展信息
公司资质
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