Intersil HGTD10N50F1S

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

MSL

-

Package

塑料外壳

RoHS

有

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

HGTD10N50F1S

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Harris Semiconductor

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

HARRIS SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.68

操作温度

-40...+85°C

系列

TRV

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

绝缘栅BIP晶体管

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

输出类型

single

配置

SINGLE

注意

-

输出电流

0,083 A

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-252AA

最大耗散功率(Abs)

75 W

电源

1 W

集电极电流-最大值(IC)

12 A

集电极-发射器电压-最大值

500 V

栅极-发射极电压-最大值

20 V

VCEsat-最大值

2.2 V

栅极-发射极Thr电压-最大值

4.5 V

环境耗散-最大值

75 W