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技术文档
型号
HGTP2N120BND
品牌
Intersil
utmel 编号
1244-HGTP2N120BND
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
12A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
起订量
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HGTP2N120BND详情
技术参数
Intersil HGTP2N120BND重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Harris Semiconductor
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
HARRIS SEMICONDUCTOR
Risk Rank
5.63
附加功能
低导通损耗
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
集电极电流-最大值(IC)
2 A
集电极-发射器电压-最大值
1200 V
HGTP2N120BND拓展信息
公司资质
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