Intersil HM1-6551B/883

表面安装

NO

终端数量

22

Package Description

DIP, DIP22,.4

Package Style

IN-LINE

Number of Words Code

256

Package Body Material

CERAMIC, GLASS-SEALED

Package Equivalence Code

DIP22,.4

Operating Temperature-Min

-55 °C

Access Time-Max

220 ns

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

HM1-6551B/883

Number of Words

256 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Harris Semiconductor

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

HARRIS SEMICONDUCTOR

Risk Rank

8.7

Usage Level

Military grade

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

3A001.A.2.C

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

地址接头

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-GDIP-T22

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

MILITARY

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

端口的数量

1

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.0072 mA

组织结构

256X4

输出特性

3-STATE

内存宽度

4

待机电流-最大值

0.00001 A

记忆密度

1024 bit

筛选水平

38535Q/M;38534H;883B

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

2 V

输出启用

NO