注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
IRF633
品牌
Intersil
utmel 编号
1244-IRF633
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 150V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
起订量
1最小包装量--
请发送询价,我们将立即回复。
IRF633详情
技术参数
Intersil IRF633重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
材料
Steel/Sn
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Tab Width
6,35mm
RoHS
有
Package Style
FLANGE MOUNT
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.12
Drain Current-Max (ID)
8 A
系列
-
JESD-609代码
e0
无铅代码
终端
Solder
端子表面处理
锡铅
性别
Male
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
注意
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
绝缘材料
Insulated
极性/通道类型
N-CHANNEL
端子类型
Flat 90°
JEDEC-95代码
TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻
0.6 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
32 A
DS 击穿电压-最小值
150 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
长度 - 整体
- mm
标签厚度
0,81mm
IRF633拓展信息
热销零件
相关分类
热门搜索
公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:IRFR220
封装:--
品牌:Intersil (Renesas Electronics America)
库存:0
型号:HUF75842P3
型号:ITF86130SK8T
封装:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
品牌:Intersil
¥12.806041
型号:RFD3055LE
型号:RFD14N05.
型号:IRFP153
购物车 (0件产品)