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技术文档
型号
IRF712
品牌
Intersil
utmel 编号
1244-IRF712
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 400V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
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IRF712详情
技术参数
Intersil IRF712重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
材料
Brass/Sn
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Tab Width
6,35mm
RoHS
有
Package Style
FLANGE MOUNT
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.08
Drain Current-Max (ID)
1.7 A
系列
-
JESD-609代码
e0
无铅代码
终端
Solder
端子表面处理
锡铅
性别
Male
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
注意
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
绝缘材料
Insulated
极性/通道类型
N-CHANNEL
端子类型
Flat 90°
JEDEC-95代码
TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻
5 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
4.3 A
DS 击穿电压-最小值
400 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
长度 - 整体
- mm
标签厚度
0,81mm
IRF712拓展信息
公司资质
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