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IRFD321

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Intersil IRFD321

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对比

型号

IRFD321

品牌

utmel 编号

1244-IRFD321

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0.5A I(D), 350V, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET

起订量

1最小包装量--

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IRFD321

IRFD321 Intersil SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0.5A I(D), 350V, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET

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IRFD321详情

技术参数

Intersil IRFD321重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

3
晶体管元件材料

SILICON
Package Style

IN-LINE
Moisture Sensitivity Levels

未说明
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)

未说明
Rohs Code

无
Manufacturer Part Number

IRFD321
Risk Rank

5.4
Drain Current-Max (ID)

0.5 A
Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Part Life Cycle Code

活跃
Number of Elements

1
Manufacturer

Rochester Electronics LLC
Package Shape

RECTANGULAR
JESD-609代码

e0
无铅代码

无
端子表面处理

锡铅
端子位置

DUAL
终端形式

THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明
Reach合规守则

unknown
JESD-30代码

R-PDIP-T3
资历状况

COMMERCIAL
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻

1.8 Ω
DS 击穿电压-最小值

350 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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IRFD321拓展信息

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