INTERSIL CORP HUF76112SK8

表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Operating Temperature (Max.)

150°C

Number of Elements

1

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

MS-012AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

7.5A

漏极-源极导通最大电阻

0.033Ohm

DS 击穿电压-最小值

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

2.5W

RoHS状态

Non-RoHS Compliant