INTERSIL CORP RFP7N10LE

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

175°C

ECCN 代码

EAR99

附加功能

MEGAFET, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

7A

漏极-源极导通最大电阻

0.3Ohm

DS 击穿电压-最小值

100V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

47W

关断时间-最大值（toff)

60ns

接通时间-最大值(ton)

110ns

环境耗散-最大值

47W