RFD8P06LESM9A
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Intersil Corporation RFD8P06LESM9A

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型号

RFD8P06LESM9A

utmel 编号

1244-RFD8P06LESM9A

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

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ROHS

ECAD

简介

8A, 60V, 0.33ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA

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RFD8P06LESM9A Intersil Corporation 8A, 60V, 0.33ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA

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RFD8P06LESM9A详情

Intersil Corporation RFD8P06LESM9A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    INTERSIL CORP

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

  • Drain Current-Max (ID)

    8 A

  • Number of Elements

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-252AA

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.33 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    60 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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技术文档: Intersil Corporation RFD8P06LESM9A.

RFD8P06LESM9A拓展信息

2SK3113
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Renesas Electronics Corporation

NE3210S01-T1B
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2N5906
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RFH25P08
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P2H10M440H
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IRF9130
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