Intersil Corporation RFL1N10
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RFL1N10
1244-RFL1N10
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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1000mA, 100V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AF
1最小包装量--
RFL1N10详情
Intersil Corporation RFL1N10重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTERSIL CORP
Package Description
CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Drain Current-Max (ID)
1 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
METAL
Package Shape
ROUND
Package Style
CYLINDRICAL
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
Reach合规守则
not_compliant
JESD-30代码
O-MBCY-W3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-205AF
漏极-源极导通最大电阻
1.2 Ω
DS 击穿电压-最小值
100 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
8.3 W
反馈上限-最大值 (Crss)
25 pF
环境耗散-最大值
8.33 W
RFL1N10拓展信息
Renesas Electronics Corporation
Renesas Electronics Corporation
Intersil Corporation
Intersil Corporation
Nihon Inter Electronics Corporation
Intersil Corporation
Foxconn Interconnect Technology Limited
Intersil Corporation
Nihon Inter Electronics Corporation
Intersil Corporation







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