RT3J55M
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Isahaya Electronics Corporation RT3J55M

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型号

RT3J55M

utmel 编号

1264-RT3J55M

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistor

起订量

1最小包装量--

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RT3J55M
RT3J55M Isahaya Electronics Corporation Transistor

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RT3J55M详情

Isahaya Electronics Corporation RT3J55M重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    6

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Part Life Cycle Code

    接触制造商

  • Ihs Manufacturer

    ISAHAYA ELECTRONICS CORP

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6

  • Drain Current-Max (ID)

    0.1 A

  • Number of Elements

    2

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G6

  • 配置

    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • DS 击穿电压-最小值

    50 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.15 W

  • 环境耗散-最大值

    0.15 W

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技术文档: Isahaya Electronics Corporation RT3J55M.

RT3J55M拓展信息

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