ISC 2SK1101-01MR

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Shape

RECTANGULAR

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Number of Elements

1

Drain Current-Max (ID)

10 A

Risk Rank

5.75

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Part Package Code

TO-220F15

Ihs Manufacturer

FUJI ELECTRIC CO LTD

Part Life Cycle Code

Obsolete

Manufacturer Part Number

2SK1101-01MR

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

10 A

漏极-源极导通最大电阻

0.65 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

35 A

DS 击穿电压-最小值

450 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

50 W