2SK2199详情
ISC 2SK2199重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
2SK2199
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SANYO ELECTRIC CO LTD
Package Description
IN-LINE, R-PSIP-T3
Risk Rank
5.76
Drain Current-Max (ID)
0.8 A
Number of Elements
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
IN-LINE
ECCN 代码
EAR99
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.8 A
漏极-源极导通最大电阻
5 Ω
DS 击穿电压-最小值
250 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
15 W
2SK2199拓展信息
ISC
ISC
ISC
ISC
ISC
ISC
ISC
ISC
ISC
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