ISC BUZ210

表面安装

NO

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Voltage, Rating

50 V

Package Description

FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

BUZ210

Turn-on Time-Max (ton)

195 ns

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Siemens

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

西门子 A G

Turn-off Time-Max (toff)

570 ns

Risk Rank

5.38

Drain Current-Max (ID)

10.5 A

容差

0.1 %

JESD-609代码

e0

温度系数

100 ppm/°C

电阻

14.7 Ω

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

155 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Thin Film

子类别

FET 通用电源

额定功率

100 mW

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-204AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

10.5 A

漏极-源极导通最大电阻

0.6 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

42 A

DS 击穿电压-最小值

500 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

125 W

反馈上限-最大值 (Crss)

170 pF

环境耗散-最大值

125 W

高度

550 µm