ISC H5N0301SM

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Manufacturer Part Number

H5N0301SM

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Hitachi Ltd

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

HITACHI LTD

Risk Rank

5.4

Drain Current-Max (ID)

0.05 A

ECCN 代码

EAR99

子类别

FET 通用电源

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.05 A

漏极-源极导通最大电阻

7.2 Ω

DS 击穿电压-最小值

30 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.1 W