ISC HUF76413D3ST

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Operating Temperature-Max

175 °C

Manufacturer Part Number

HUF76413D3ST

Manufacturer

Intersil Corporation

Number of Elements

1

Ihs Manufacturer

INTERSIL CORP

Drain Current-Max (ID)

20 A

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Rohs Code

无

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

Transferred

Risk Rank

5.18

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

not_compliant

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-252AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

20 A

漏极-源极导通最大电阻

0.061 Ω

DS 击穿电压-最小值

60 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

70 W