MTM1N100详情
ISC MTM1N100重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
MTM1N100
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MOTOROLA INC
Package Description
FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Risk Rank
5.81
Drain Current-Max (ID)
1 A
Turn-on Time-Max (ton)
200 ns
Turn-off Time-Max (toff)
300 ns
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Shape
ROUND
Package Body Material
METAL
Operating Temperature-Max
150 °C
Number of Elements
1
JESD-609代码
e0
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子位置
BOTTOM
终端形式
PIN/PEG
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
O-MBFM-P2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-204AA
漏极-源极导通最大电阻
10 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
6 A
DS 击穿电压-最小值
1000 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
反馈上限-最大值 (Crss)
80 pF
环境耗散-最大值
75 W
MTM1N100拓展信息
ISC
ISC
ISC
ISC
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ISC
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ISC
ISC
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