ISC MTW33N10E

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

MTW33N10E

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

摩托罗拉半导体产品

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

MOTOROLA INC

Risk Rank

8.8

Drain Current-Max (ID)

33 A

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-247AE

漏极-源极导通最大电阻

0.06 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

99 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

545 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR