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'tlp291gb'

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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	越来越多的功能	引脚数	供应商器件包装	外壳材料				Collector-Emitter Saturation Voltage												厂商																						操作温度	已出版	系列	湿度敏感性等级(MSL)	附加功能	HTS代码	子类别	Reach合规守则	引脚数量	输出类型	配置	通道数量	功率耗散	电压 - 正向 (Vf) (类型)	接通延迟时间	光电子器件类型	正向电流	最大输出电压	上升时间	产品类别	集电极发射器电压(VCEO)	最大集电极电流	输出/通道电流	正向电流-最大	最大输入电流	信道型	最大直流驱动电流（If）	输入电流	通态电流最大值
TLP291(GB	Toshiba	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	4		HVX00524BAC2P1P3	Cutler Hammer, Div of Eaton Corp	SO4			Transistor																						1																					3.75 kVrms
TLP291(GB,SE	Toshiba Semiconductor and Storage	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	表面贴装	4-SOIC (0.179, 4.55mm Width)	4	200mV	100% @ 5mA	1	3 μs						80V	-55°C~110°C	Tube	2013			活跃	1 (Unlimited)	UL RECOGNIZED, VDE APPROVED					3750Vrms	Transistor	SINGLE	1	200mW	1.25V	DC	3 μs		50mA	80V	50mA			300mV		2μs 3μs									600% @ 5mA	3μs, 3μs	125°C			80nA				2.2mm			Unknown	符合RoHS标准
TLP291(GB,E)	Toshiba	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	4-SOIC (0.179, 4.55mm Width)	4-SO	5 V	0.3 V	200 mW	+ 110 C	0.001764 oz	- 55 C	东芝半导体与存储	175	SMD/SMT	Toshiba	Toshiba	50 mA	Details							SOIC	50 mA	80 V		表面贴装	100% @ 5mA	Tube	TLP291	活跃	-55 to 110 °C	Tube		-						Optocouplers		4	3750Vrms	Transistor		1	1.25V	DC				4 us	晶体管输出光耦合器		2µs, 3µs	50mA			80V		N	50 mA	50 mA	3750 Vrms	600% @ 5mA	3µs, 3µs		300mV	400 %	1.4 V	晶体管输出光耦合器	2.1 V	2.6 V	4.55 V
TLP291(GB-TP	Toshiba America Electronic Components	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	SURFACE MOUNT	1	100%	100%	110 °C	-55 °C								无	不推荐	TOSHIBA CORP		SOP-4								UL 认证	8541.40.80.00		unknown				SINGLE						晶体管输出光耦合器									0.05 A	1.4 V					0.05 A				3750 V		80 nA	0.15 W	80 V
TLP291(GB-TP,E)	Toshiba Semiconductor and Storage	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	表面贴装	4-SOIC (0.179, 4.55mm Width)	4	300mV				100% @ 5mA	200mW	1			-55°C~110°C	Tape & Reel (TR)	2012		yes	活跃	1 (Unlimited)	UL 认证					3750Vrms	Transistor	SINGLE	1	200mW	1.25V	DC			50mA	80V	50mA			80V	50mA	4μs 7μs			5V		50mA				400% @ 5mA	7μs, 7μs				80nA							无	符合RoHS标准
TLP291(GB，SE(T	Toshiba	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	SOIC-4	4						100 %	50 mA	50 mA		300 mV	80 V	+ 110 C	- 55 C	SMD/SMT	Phototransistor	SO4	200 mW	Suitable for High-Density Surface Mounting Applications Such as Small Switching Power Supplies And Programmable Controllers, TLP291 Consists of Photo Transistor Optically Coupled to a Gallium Arsenide Infrared Emitting Diode	5 V						TLP 291						Optocouplers				Phototransistor		1								2 us											3750 Vrms	600 %							1.4 V	晶体管输出光耦合器
TLP291(GB-TP,SE	Toshiba Semiconductor and Storage	数据表	N/A	1: ¥3.043025 10: ¥2.870778 100: ¥2.708282 500: ¥2.554983 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	表面贴装	4-SOIC (0.179, 4.55mm Width)	4	400mV					100% @ 5mA		-55°C~110°C	Tape & Reel (TR)	2013		yes	活跃	1 (Unlimited)						3750Vrms	Transistor		1	170mW	1.25V	DC			50mA	80V	50mA			300mV		2μs 3μs			5V						600% @ 5mA	3μs, 3μs													符合RoHS标准

TLP291(GB

Toshiba

分类:Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output
TLP291(GB,SE

Toshiba Semiconductor and Storage

分类:Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output
TLP291(GB,E)

Toshiba

分类:Sensors, Transducers
TLP291(GB-TP

Toshiba America Electronic Components

分类:Addressable, Specialty
TLP291(GB-TP,E)

Toshiba Semiconductor and Storage

分类:Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output
TLP291(GB，SE(T

Toshiba

分类:Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output
TLP291(GB-TP,SE

Toshiba Semiconductor and Storage

分类:Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output

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