ISSI IS25LP512M-RMLA3

工厂交货时间

10 Weeks

包装/外壳

SOIC-16

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

16-SOIC

终端数量

16

Moisture Sensitive

有

Timing Type

Synchronous

Maximum Clock Frequency

133 MHz

Maximum Operating Temperature

+ 125 C

Supply Voltage-Max

3.6 V

Unit Weight

0.107821 oz

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

44

Active Read Current - Max

40 mA

Supply Voltage-Min

2.3 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Interface Type

SPI

Manufacturer

ISSI

Brand

ISSI

RoHS

Details

Package

Tube

厂商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Product Status

Obsolete

Memory Types

Non-Volatile

Package Description

SOP,

Package Style

小概要

Risk Rank

2.28

Ihs Manufacturer

INTEGRATED SILICON SOLUTION INC

Part Life Cycle Code

活跃

Package Shape

RECTANGULAR

Package Code

SOP

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3 V

Number of Words

67108864 words

Clock Frequency-Max (fCLK)

133 MHz

Manufacturer Part Number

IS25LP512M-RMLA3

Rohs Code

有

Operating Temperature-Max

125 °C

Reflow Temperature-Max (s)

10

Operating Temperature-Min

-40 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Number of Words Code

64000000

Usage Level

Automotive grade

系列

IS25LP512M

包装

Tray

操作温度

-40°C ~ 125°C (TA)

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

3A991.B.1.A

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8542.32.00.51

子类别

Memory & Data Storage

技术

FLASH - NOR

电压 - 供电

2.3V ~ 3.6V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

1.27 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G16

电源电压-最大值(Vsup)

3.6 V

温度等级

AUTOMOTIVE

电源电压-最小值(Vsup)

2.3 V

内存大小

512 Mbit

速度

133 MHz

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

133 MHz

电源电流-最大值

40 mA

访问时间

7 ns

内存格式

FLASH

内存接口

SPI - Quad I/O, QPI, DTR

数据总线宽度

8 bit

组织结构

64 M x 8

座位高度-最大

2.65 mm

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

50µs, 1ms

产品类别

NOR 闪存

记忆密度

536870912 bit

筛选水平

AEC-Q100

并行/串行

SERIAL

内存IC类型

FLASH

编程电压

3 V

备用内存宽度

1

产品类别

NOR 闪存

组织的记忆

64M x 8

长度

10.31 mm

宽度

7.49 mm