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技术文档
型号
IS41LV16100-60T
品牌
ISSI
utmel 编号
1266-IS41LV16100-60T
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
IS41LV16100-60T datasheet pdf and Unclassified product details from ISSI stock available at utmel
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IS41LV16100-60T详情
技术参数
ISSI IS41LV16100-60T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
44
Package Description
0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Part Package Code
TSOP2
Risk Rank
5.8
Ihs Manufacturer
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
Part Life Cycle Code
Obsolete
Manufacturer
Integrated Silicon Solution Inc
Package Shape
RECTANGULAR
Package Code
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Number of Words
1048576 words
Manufacturer Part Number
Rohs Code
无
Operating Temperature-Max
70 °C
Access Time-Max
60 ns
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Package Equivalence Code
TSOP44/50,.46,32
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Number of Words Code
1000000
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.02
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
引脚数量
50
JESD-30代码
R-PDSO-G44
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
电源
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3 V
端口的数量
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.145 mA
组织结构
1MX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.002 A
记忆密度
16777216 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
EDO DRAM
刷新周期
1024
访问模式
FAST PAGE WITH EDO
自我刷新
宽度
10.16 mm
长度
18.415 mm
达到SVHC
unknown
IS41LV16100-60T拓展信息
公司资质
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