ISSI IS41LV16100B-50T

表面安装

YES

终端数量

44

RoHS

Non-Compliant

Package Description

0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44

Package Style

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

1000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

TSOP44/50,.46,32

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

50 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IS41LV16100B-50T

Number of Words

1048576 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3.3 V

Package Code

TSOP2

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Integrated Silicon Solution Inc

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INTEGRATED SILICON SOLUTION INC

Risk Rank

5.86

Part Package Code

TSOP2

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

70 °C

最小工作温度

0 °C

附加功能

RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH

HTS代码

8542.32.00.02

子类别

DRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

0.8 mm

Reach合规守则

unknown

引脚数量

50

JESD-30代码

R-PDSO-G44

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

3.6 V

电源

3.3 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

3 V

最大电源电压

3.6 V

最小电源电压

3 V

内存大小

2 MB

端口的数量

1

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.18 mA

访问时间

50 ns

数据总线宽度

16 b

组织结构

1MX16

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

16

待机电流-最大值

0.002 A

记忆密度

16777216 bit

I/O类型

COMMON

内存IC类型

EDO DRAM

刷新周期

1024

访问模式

FAST PAGE WITH EDO

自我刷新

NO

宽度

10.16 mm

长度

20.95 mm