ISSI IS41LV16256B-35KL

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

40

终端数量

40

RoHS

Compliant

Package Description

SOJ, SOJ40,.44

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

256000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

SOJ40,.44

Reflow Temperature-Max (s)

40

Access Time-Max

35 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IS41LV16256B-35KL

Number of Words

262144 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3.3 V

Package Code

SOJ

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Integrated Silicon Solution Inc

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INTEGRATED SILICON SOLUTION INC

Risk Rank

5.8

Part Package Code

SOJ

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

最高工作温度

70 °C

最小工作温度

0 °C

附加功能

RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH

HTS代码

8542.32.00.02

子类别

DRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

J BEND

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

1.27 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

40

JESD-30代码

R-PDSO-J40

资历状况

不合格

工作电源电压

3.3 V

电源电压-最大值(Vsup)

3.6 V

电源

3.3 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

3 V

最大电源电压

3.6 V

最小电源电压

3 V

内存大小

512 kB

端口的数量

1

电源电流

220 mA

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.23 mA

访问时间

35 ns

数据总线宽度

16 b

组织结构

256KX16

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

3.75 mm

内存宽度

16

地址总线宽度

9 b

密度

4 Mb

待机电流-最大值

0.001 A

记忆密度

4194304 bit

I/O类型

COMMON

内存IC类型

EDO DRAM

刷新周期

512

访问模式

FAST PAGE WITH EDO

自我刷新

NO

宽度

10.16 mm

长度

26.035 mm

辐射硬化

无