ISSI IS42S32400D-6TL

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

86

终端数量

86

RoHS

Compliant

Part Package Code

TSOP2

Risk Rank

5.43

Ihs Manufacturer

INTEGRATED SILICON SOLUTION INC

Part Life Cycle Code

Obsolete

Manufacturer

Integrated Silicon Solution Inc

Package Shape

RECTANGULAR

Package Code

SOP

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3.3 V

Number of Words

4194304 words

Clock Frequency-Max (fCLK)

166 MHz

Manufacturer Part Number

IS42S32400D-6TL

Rohs Code

有

Operating Temperature-Max

70 °C

Access Time-Max

5.4 ns

Reflow Temperature-Max (s)

40

Package Equivalence Code

TSSOP86,.46,20

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Number of Words Code

4000000

Moisture Sensitivity Levels

3

Package Style

小概要

Package Description

SOP, TSSOP86,.46,20

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

最高工作温度

70 °C

最小工作温度

0 °C

附加功能

AUTO/SELF REFRESH

HTS代码

8542.32.00.02

子类别

DRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.5 mm

频率

166 MHz

引脚数量

86

JESD-30代码

R-PDSO-G86

资历状况

不合格

工作电源电压

3.3 V

电源电压-最大值(Vsup)

3.6 V

电源

3.3 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

3 V

最大电源电压

3.6 V

最小电源电压

3 V

内存大小

16 MB

端口的数量

1

电源电流

180 mA

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.18 mA

访问时间

5.4 ns

数据总线宽度

32 b

组织结构

4MX32

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

32

地址总线宽度

14 b

密度

128 Mb

待机电流-最大值

0.001 A

记忆密度

134217728 bit

最高频率

166 MHz

I/O类型

COMMON

内存IC类型

同步剧

刷新周期

4096

顺序突发长度

1,2,4,8,FP

交错突发长度

1,2,4,8

访问模式

四库页面突发

自我刷新

YES

长度

22.22 mm

宽度

10.16 mm

辐射硬化

无

达到SVHC

compliant