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技术文档
型号
IS43DR16640C-3DBLA1
品牌
ISSI
utmel 编号
1266-IS43DR16640C-3DBLA1
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
IS43DR16640C-3DBLA1 datasheet pdf and Unclassified product details from ISSI stock available at utmel
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IS43DR16640C-3DBLA1详情
技术参数
ISSI IS43DR16640C-3DBLA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
84
Package Description
TFBGA, BGA84,9X15,32
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Number of Words Code
64000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA84,9X15,32
Operating Temperature-Min
-40 °C
Access Time-Max
0.45 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Clock Frequency-Max (fCLK)
333 MHz
Number of Words
67108864 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
TFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Integrated Silicon Solution Inc
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
Risk Rank
5.36
Usage Level
Automotive grade
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B84
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.9 V
电源
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
端口的数量
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.27 mA
组织结构
64MX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.025 A
记忆密度
1073741824 bit
筛选水平
AEC-Q100
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
刷新周期
8192
顺序突发长度
4,8
交错突发长度
访问模式
多库页面突发
自我刷新
宽度
8 mm
长度
12.5 mm
IS43DR16640C-3DBLA1拓展信息
公司资质
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