ISSI IS43DR32160C-3DBL

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

126-TFBGA

表面安装

YES

供应商器件包装

126-TWBGA (10.5x13.5)

终端数量

126

RoHS

Non-Compliant

Package

Bulk

Base Product Number

IS43DR32160

厂商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Package Description

TFBGA, BGA126,12X16,32

Package Style

GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

Number of Words Code

16000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

BGA126,12X16,32

Access Time-Max

0.45 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IS43DR32160C-3DBL

Clock Frequency-Max (fCLK)

333 MHz

Number of Words

16777216 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V

Package Code

TFBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Integrated Silicon Solution Inc

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INTEGRATED SILICON SOLUTION INC

Risk Rank

5.41

Part Package Code

BGA

操作温度

0°C ~ 70°C (TA)

系列

-

ECCN 代码

EAR99

附加功能

AUTO/SELF REFRESH

HTS代码

8542.32.00.28

子类别

DRAMs

技术

SDRAM - DDR2

电压 - 供电

1.7V ~ 1.9V

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

功能数量

1

端子间距

0.8 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

126

JESD-30代码

R-PBGA-B126

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

1.9 V

电源

1.8 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

1.7 V

内存大小

512Mbit

端口的数量

1

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

333 MHz

电源电流-最大值

0.45 mA

访问时间

450 ps

内存格式

DRAM

内存接口

SSTL_18

组织结构

16MX32

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

32

写入周期时间 - 字符、页面

15ns

待机电流-最大值

0.012 A

记忆密度

536870912 bit

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DDR DRAM

刷新周期

8192

顺序突发长度

4,8

交错突发长度

4,8

访问模式

四库页面突发

自我刷新

YES

组织的记忆

16M x 32

宽度

10.5 mm

长度

13.5 mm