ISSI IS43DR83200A-37CBLI

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

60

终端数量

60

RoHS

Compliant

Package Description

TFBGA, BGA60,9X11,32

Package Style

GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

Number of Words Code

32000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

BGA60,9X11,32

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

40

Access Time-Max

0.5 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IS43DR83200A-37CBLI

Clock Frequency-Max (fCLK)

266 MHz

Number of Words

33554432 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V

Package Code

TFBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Integrated Silicon Solution Inc

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INTEGRATED SILICON SOLUTION INC

Risk Rank

5.81

Part Package Code

BGA

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

最高工作温度

95 °C

最小工作温度

-40 °C

附加功能

AUTO/SELF REFRESH

HTS代码

8542.32.00.24

子类别

DRAMs

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.8 mm

引脚数量

60

JESD-30代码

R-PBGA-B60

资历状况

不合格

工作电源电压

1.8 V

电源电压-最大值(Vsup)

1.9 V

电源

1.8 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

1.7 V

最大电源电压

1.9 V

最小电源电压

1.7 V

内存大小

32 MB

端口的数量

1

电源电流

270 mA

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.27 mA

访问时间

500 ps

数据总线宽度

8 b

组织结构

32MX8

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

8

地址总线宽度

15 b

密度

256 Mb

待机电流-最大值

0.005 A

记忆密度

268435456 bit

最高频率

533 MHz

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DDR DRAM

刷新周期

8192

顺序突发长度

4,8

交错突发长度

4,8

访问模式

四库页面突发

自我刷新

YES

宽度

8 mm

长度

10.5 mm

辐射硬化

无

达到SVHC

compliant