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技术文档
型号
IS43DR86400-3DBLI
品牌
ISSI
utmel 编号
1266-IS43DR86400-3DBLI
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
IS43DR86400-3DBLI datasheet pdf and Unclassified product details from ISSI stock available at utmel
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IS43DR86400-3DBLI详情
技术参数
ISSI IS43DR86400-3DBLI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
60
Package Description
TFBGA,
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Number of Words
67108864 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
TFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Integrated Silicon Solution Inc
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
Risk Rank
5.36
Part Package Code
DSBGA
Manufacturer Part Number
Rohs Code
有
Operating Temperature-Max
85 °C
Reflow Temperature-Max (s)
40
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Number of Words Code
64000000
JESD-609代码
e1
无铅代码
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.28
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
JESD-30代码
R-PBGA-B60
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.9 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
端口的数量
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
64MX8
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
8
记忆密度
536870912 bit
内存IC类型
DDR DRAM
访问模式
四库页面突发
自我刷新
长度
10.5 mm
宽度
10 mm
IS43DR86400-3DBLI拓展信息
公司资质
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