注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
IS43TR16640B-125KBL-TR
品牌
ISSI
utmel 编号
1266-IS43TR16640B-125KBL-TR
商品类别
无类别的
封装
96-TFBGA
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
IS43TR16640B-125KBL-TR datasheet pdf and Unclassified product details from ISSI stock available at utmel
起订量
1最小包装量--
请发送询价,我们将立即回复。
IS43TR16640B-125KBL-TR详情
技术参数
ISSI IS43TR16640B-125KBL-TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
工厂交货时间
6 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
表面安装
YES
供应商器件包装
96-TWBGA (9x13)
终端数量
96
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
IS43TR16640
厂商
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Product Status
Obsolete
Memory Types
Volatile
Package Description
TFBGA,
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Number of Words Code
64000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Number of Words
67108864 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.5 V
Package Code
TFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Integrated Silicon Solution Inc
Part Life Cycle Code
生命周期结束
Ihs Manufacturer
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
Risk Rank
5.61
操作温度
0°C ~ 95°C (TC)
系列
Automotive, AEC-Q100
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
技术
SDRAM - DDR3
电压 - 供电
1.425V ~ 1.575V
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B96
电源电压-最大值(Vsup)
1.575 V
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
1.425 V
内存大小
1Gbit
端口的数量
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
800 MHz
访问时间
20 ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
64MX16
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
记忆密度
1073741824 bit
内存IC类型
DDR DRAM
访问模式
多库页面突发
自我刷新
组织的记忆
64M x 16
宽度
9 mm
长度
13 mm
IS43TR16640B-125KBL-TR拓展信息
公司资质
购物车 (0件产品)