IS46LQ32640A-062BLA2-TR
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ISSI IS46LQ32640A-062BLA2-TR

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型号

IS46LQ32640A-062BLA2-TR

品牌

ISSI

utmel 编号

1266-IS46LQ32640A-062BLA2-TR

商品类别

存储器

封装

200-VFBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 2Gbit 64M X 32 1.1V/1.8V 200-Pin VFBGA T/R

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IS46LQ32640A-062BLA2-TR
IS46LQ32640A-062BLA2-TR ISSI DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 2Gbit 64M X 32 1.1V/1.8V 200-Pin VFBGA T/R

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IS46LQ32640A-062BLA2-TR详情

ISSI IS46LQ32640A-062BLA2-TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    200-VFBGA

  • 引脚数

    5

  • 供应商器件包装

    200-VFBGA (10x14.5)

  • Polarity Type

    Positive

  • Regulator Output Type

    固定式

  • Voltage Regulator Type

    Linear

  • Operating Temperature Classification

    汽车

  • Package Type

    SOT-23

  • Operating Temp Range

    -40C to 125C

  • Rad Hardened

  • Mounting

    表面贴装

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • 厂商

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • Product Status

    活跃

  • Memory Types

    Volatile

  • 包装

    卷带

  • 操作温度

    -40°C ~ 105°C (TC)

  • 系列

    Automotive, AEC-Q100

  • 类型

    LDO

  • 技术

    SDRAM - Mobile LPDDR4

  • 电压 - 供电

    1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V

  • 输出的数量

    1

  • 输出电压

    2.5(V)

  • 输出类型

    固定式

  • 极性

    Positive

  • 内存大小

    2Gbit

  • 输出电流

    150(mA)

  • 时钟频率

    1.6 GHz

  • 输入电压(Min)

    2.5(V)

  • 拓扑

    LDO

  • 内存格式

    DRAM

  • 内存接口

    LVSTL

  • 输入电压(最大)

    16 V

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    -

  • 输出电压精度

    �2.5 %

  • 线路调节

    0.014%/V

  • 输入电压

    16(V)

  • 组织的记忆

    64M x 32

0个相似型号

IS46LQ32640A-062BLA2-TR拓展信息

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