ISSI IS61LV51216-10TI

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

44

终端数量

44

Number of Words

512000

RoHS

Compliant

Package Description

PLASTIC, TSOP2-44

Package Style

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

512000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

TSOP44,.46,32

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

10 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IS61LV51216-10TI

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3.3 V

Package Code

TSOP2

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Integrated Silicon Solution Inc

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INTEGRATED SILICON SOLUTION INC

Risk Rank

5.58

Part Package Code

TSOP2

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

3A991.B.2.A

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

85 °C

最小工作温度

-40 °C

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

0.8 mm

Reach合规守则

unknown

引脚数量

44

JESD-30代码

R-PDSO-G44

资历状况

不合格

工作电源电压

3.3 V

电源电压-最大值(Vsup)

3.63 V

电源

3.3 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

3.135 V

界面

Parallel

最大电源电压

3.6 V

最小电源电压

3.135 V

内存大小

1 MB

端口的数量

1

电源电流

110 mA

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.11 mA

访问时间

10 ns

组织结构

512KX16

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

16

地址总线宽度

19 b

密度

8 Mb

待机电流-最大值

0.025 A

记忆密度

8388608 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

同步/异步

Asynchronous

字长

16 b

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

3.14 V

宽度

10.16 mm

长度

18.415 mm

辐射硬化

无