IS61LV51216-12T详情
ISSI IS61LV51216-12T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
材料
Cu/Sn
终端数量
44
RoHS
有
Package Description
PLASTIC, TSOP2-44
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
512000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
TSOP44,.46,32
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
12 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
IS61LV51216-12T
Number of Words
524288 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Package Code
TSOP2
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Integrated Silicon Solution Inc
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
Risk Rank
5.58
Part Package Code
TSOP2
系列
Buchanan
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
引脚数量
44
JESD-30代码
R-PDSO-G44
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.63 V
电源
3.3 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3.135 V
注意
-
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.09 mA
组织结构
512KX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
大小
2,5mm2
绝缘材料
有
待机电流-最大值
0.02 A
记忆密度
8388608 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
3.14 V
宽度
10.16 mm
长度
18.415 mm
长度 - 整体
14 mm
达到SVHC
unknown
IS61LV51216-12T拓展信息








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