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技术文档
型号
IS61LV51216-12T
品牌
ISSI
utmel 编号
1266-IS61LV51216-12T
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
IS61LV51216-12T datasheet pdf and Unclassified product details from ISSI stock available at utmel
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IS61LV51216-12T详情
技术参数
ISSI IS61LV51216-12T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
材料
Cu/Sn
终端数量
44
RoHS
有
Package Description
PLASTIC, TSOP2-44
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
512000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
TSOP44,.46,32
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
12 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
Number of Words
524288 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Package Code
TSOP2
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Integrated Silicon Solution Inc
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
Risk Rank
5.58
Part Package Code
系列
Buchanan
JESD-609代码
e0
无铅代码
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
引脚数量
JESD-30代码
R-PDSO-G44
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.63 V
电源
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3.135 V
注意
-
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.09 mA
组织结构
512KX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
大小
2,5mm2
绝缘材料
待机电流-最大值
0.02 A
记忆密度
8388608 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
3.14 V
宽度
10.16 mm
长度
18.415 mm
长度 - 整体
14 mm
达到SVHC
unknown
IS61LV51216-12T拓展信息
公司资质
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