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技术文档
型号
IS61NLP25636-133B
品牌
ISSI
utmel 编号
1266-IS61NLP25636-133B
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
IS61NLP25636-133B datasheet pdf and Unclassified product details from ISSI stock available at utmel
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IS61NLP25636-133B详情
技术参数
ISSI IS61NLP25636-133B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
119
Package Description
PLASTIC, BGA-119
Package Style
网格排列
Part Package Code
BGA
Risk Rank
5.48
Ihs Manufacturer
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
Part Life Cycle Code
Obsolete
Manufacturer
Integrated Silicon Solution Inc
Package Shape
RECTANGULAR
Package Code
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Number of Words
262144 words
Clock Frequency-Max (fCLK)
133 MHz
Manufacturer Part Number
Rohs Code
无
Operating Temperature-Max
70 °C
Access Time-Max
4.2 ns
Reflow Temperature-Max (s)
10
Package Equivalence Code
BGA119,7X17,50
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Number of Words Code
256000
Moisture Sensitivity Levels
3
JESD-609代码
e0
无铅代码
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
流水线结构
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
引脚数量
JESD-30代码
R-PBGA-B119
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.465 V
电源
2.5,3.3 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3.135 V
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.3 mA
组织结构
256KX36
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
2.41 mm
内存宽度
36
待机电流-最大值
0.015 A
记忆密度
9437184 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
ZBT SRAM
待机电压-最小值
3.14 V
长度
22 mm
宽度
14 mm
达到SVHC
compliant
IS61NLP25636-133B拓展信息
公司资质
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